浸矿微生物分子生物学鉴定方法

介绍了微生物浸矿中，浸矿微生物的鉴定非常关键，它是对浸矿微生物进行驯化、诱变、基因重组等后续操作的基本前题以及目前分子生物学方法在浸矿微生物鉴定中的应用情况。认为DNA探针分析方法具有快速、灵敏、特异性高等特点，适合混合菌群中已知菌株的快速检出，可应用于未经培养的自然菌群中菌株的鉴定；16SrRNA序列分析方法结果比较准确。     

有序合金Ni3Si脆性改善研究进展

从微合金化，宏合金化，细化晶粒3个方面介绍改善Ni3Si合金脆性的研究进展。微合金化虽可提高Ni3Si的室温韧性，但效果并不明显，而宏合金化虽可在一定温度范围内提高Ni3Si合金韧性，有些元素降低高温韧性或室温韧性；细化晶粒提高Ni3Si韧性的效果产不明显。合金成分富Ni化，多元素宏合金化与微合金化相结合是改善Ni3Si有序合金脆性的最佳方法。     

H2气氛对采用MOCVD 法在Si 衬底上外延生长AlN薄膜性能的影响?

采用金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)在 Si(111)衬底上外延生长 AlN 薄膜,用高分辨 X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜对外延生长所得 AlN 薄膜的性能进行表征,并研究了适量H2的引入对 AlN薄膜的晶体结构和表面形貌的影响.结果表明：在 Si衬底上外延生长 AlN薄膜过程中引入适量 H2,有利于提高 AlN岛间愈合程度,薄膜表面缺陷减少,表面粗糙度由4.0 nm 减少至2.1 nm;适量 H2的引入可使 AlN 薄膜的(0002)和(10-12)面的 X 射线摇摆曲线的半峰宽(FWHM)值从0.7°及1.1°分别减小到0.6°和0.9°,即刃型穿透位错密度和螺型穿透位错密度减少.     

Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性

提出在Ni中掺入夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性．具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□．经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成．Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃．Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1．     

掺Si对AlGaInP/GaInP多量子阱发光性能的影响

研究了Si掺杂对MOCVD生长的（Al0.3Ga0.7）In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响．样品分为两类：一类只生长了（Al0.3Ga0.7）In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构;另一类为完整的多量子阱LED结构．对于只生长了（Al0.3Ga0.7）In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构的样品,掺Si没有改变量子阱发光波长,但使得量子阱发光强度略有下降,发光峰半高宽明显增大．这应是掺Si使量子阱界面质量变差导致的．而在完整LED结构的情况下,掺Si却大大提高了量子阱的发光强度．相对于未掺杂多量子阱LED结构,垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍,并对这一现象进行了讨论．     

增强体对铝硅合金复合材料中硅相形貌的影响

采用挤压铸造法制备Ａｌ２Ｏ３／Ａｌ－Ｓｉ合金复合材料。文章研究了增强体对铝硅合金中硅相形貌的影响。结果表明，氧化铝短纤维和硅相之间存在共格界面。此纤维可为硅相的非自发形核提供适宜的结晶衬底。复合材料中的初生硅可在短纤维表面形核并生长为颗粒状。复合材料中的纤维在Ａｌ－Ｓｉ共晶体的共生生长过程中，可触发硅相中的孪晶，导致纤维附近的共晶硅呈变质形态。     

橡胶基软磁复合薄膜压磁效应及机理研究

以Fe78Si9B13非晶粉体为磁性增强材料,以丁基橡胶为基体,利用模压成型法制备软磁复合薄膜,并测试其压磁效应。结果表明,在频率较低时,复合薄膜具有优良的压磁特性;复合薄膜的阻抗随着频率的升高、压应力的增大以及粉体含量的增多而减小;阻抗变化幅度随着压应力的增大而增大,随着频率的升高而减小,随着粉体含量的增多呈现出先增大后减小的趋势。用电阻与电容串联模型对复合薄膜的压磁效应进行理论分析,所得结论与实验结果相吻合。     

Nb丝增韧TiAl/Ti5Si3基复合材料组织与性能的研究

用真空水冷铜坩埚感应熔炼炉离心浇注工艺和熔模精密铸造技术,制备Nb丝增韧Ti Al/Ti5Si3(Ti-40Al-5Si)基复合材料,对其进行真空退火处理。通过SEM、万能试验机等测试复合材料的显微结构、冲击性能、抗弯性能以及界面层显微硬度的分布情况。结果表明:Nb丝与基体结合良好,复合材料界面层组织为σ相、γ相及T2相,复合材料冲击性能较Ti Al/Ti5Si3基体有较大的提高,抗弯强度较基体下降但Nb丝延缓了其断裂;退火处理后,复合材料界面反应层中合金元素分布更加均匀,显微硬度及冲击性能比铸态时分别增加约7.8%、22.87%。     

Si/C对高铬铸铁初生奥氏体稳定性及碳化物的影响

通过改变高铬铸铁(Cr15)的硅含量,研究Si/C对高铬铸铁初生奥氏体及碳化物的影响。结果表明:随着Si/C增加,初生奥氏体中固溶的Si原子含量增加,C、Cr原子含量减少,奥氏体稳定性降低;初生碳化物呈生长初期易粗大而后生长受限的趋势演变;硬度值递增是由于Si原子固溶强化、碳化物含量增加及大量奥氏体转变成马氏体综合作用的结果;C、Cr原子微区富集增加,共晶碳化物形核核心及凝固温度区间先收窄再扩大的共同作用导致共晶碳化物尺寸先减小再增大。     

用于无线PA的高频大功率Si1-xGex/Si HBT的设计和制作

采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的2个单元4个发射极指的SiGe HBT.在没有扣除测试结构的影响下,当直流偏置IC=10mA,VCE=2.5V时,FT和fmax分别为1.8和10.1GHz.增益β为144.25,BVCBO为9V.